收藏本站
SUD50N03-06P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
120
Transconductance
0.0150
On-Resistance vs. Drain Current
100
80
T C = –55 _ C
25 _ C
0.0125
0.0100
60
125 _ C
0.0075
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
40
20
0
0.0050
0.0025
0.0000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
4000
I D – Drain Current (A)
Capacitance
10
I D – Drain Current (A)
Gate Charge
3500
3000
2500
C iss
8
6
V DS = 15 V
I D = 50 A
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
2.0
1.5
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 20 A
100
Q g – Total Gate Charge (nC)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
1.0
0.5
0.0
10
1
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J – Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 71844
S-52636—Rev. D, 02-Jan-06
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD50N03-09P-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SUD50N03-12P-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SUD50N03-16P-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SUD50N04-05L-E3 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
SUD50N04-09H-E3 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
SUD50N04-16P-E3 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
SUD50N04-37P-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
SUD50N04-8M8P-4GE3 MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
相关代理商/技术参数
SUD50N03-06P-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
SUD50N03-07 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N03-07AP 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N03-07AP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK
SUD50N03-07AP-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N03-07-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N03-07-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SUD50N03-07-T4 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R